对比图
型号 DS2003CN ULN2003A ULN2003AP
描述 PDIP NPN 55V 0.5ASTMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPPDIP NPN 50V 0.5A
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 16 16 16
封装 PDIP-16 DIP-16 DIP-16
额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V
额定电流 - 500 mA 500 mA
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 55 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A
电源电压(DC) 5.00 V, 5.00 V (max) - -
输出接口数 7 7 -
输出电压 55.0 V ≤50.0 V -
输出电流 350 mA - -
电路数 1 - -
通道数 - 7 -
针脚数 - 16 -
耗散功率 - 2.25 W -
输入电容 - 15.0 pF -
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V -
输出电流(Max) - 500 mA -
直流电流增益(hFE) - 1000 -
工作温度(Max) - 85 ℃ -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
封装 PDIP-16 DIP-16 DIP-16
长度 - 20 mm -
宽度 - 7.1 mm -
高度 - 5.1 mm -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -
ECCN代码 - EAR99 -