IR2127STR和IR2127STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2127STR IR2127STRPBF

描述 IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOICP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns

电源电压 12V ~ 20V 12V ~ 20V

输出接口数 - 1

针脚数 - 8

耗散功率 - 625 mW

静态电流 - 60 µA

上升时间 - 80 ns

下降时间 - 40 ns

下降时间(Max) - 65 ns

上升时间(Max) - 130 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW

电源电压(Max) - 20 V

电源电压(Min) - 10 V

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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