对比图
型号 VIT1080S-E3/4W VT1080S-E3/4W SSR1008/5
描述 Trench MOS势垒肖特基整流器 Trench MOS Barrier Schottky RectifierTrench MOS势垒肖特基整流器 Trench MOS Barrier Schottky RectifierRectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1Element, 10A, 80V V(RRM), Silicon, TO-5
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Solid State Devices
分类 功率二极管TVS二极管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-262-3 TO-220-3 -
正向电压 810mV @10A 810mV @10A -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-262-3 TO-220-3 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 无铅 无铅 -