IRFR7546PBF和IRFR7546TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR7546PBF IRFR7546TRPBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRFR7546TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3.7 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 99 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 7.9 mΩ 0.0066 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 99 W 99 W

阈值电压 3.7 V 3.7 V

输入电容 - 3020 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 71A 71A

上升时间 28 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 3020pF @25V(Vds) 3020pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 99W (Tc) 99W (Tc)

通道数 1 -

漏源击穿电压 60 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm -

宽度 2.39 mm -

高度 6.22 mm -

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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