对比图
型号 FDU8896_NL ISL9N306AD3 FDU6682
描述 N沟道 30V 17A 94AN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET 30V ， 50A ， 6mз N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251 TO-251 TO-220-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 17A 50.0 A 75A
漏源极电阻 - 9.50 mΩ -
耗散功率 - 125 W 71 W
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - - 12 ns
下降时间 - - 18 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-251 TO-251 TO-220-3
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.7 mm
高度 - - 16.3 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -