对比图
型号 SI4830ADY-T1-E3 SI4830DY-T1-E3 SI4830ADY-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOICSmall Signal Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SO SOIC-8
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
额定功率(Max) 1.1 W - 1.1 W
漏源极电阻 - 22.0 mΩ -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 1.10 W -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 7.50 A -
封装 SOIC-8 SO SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free