对比图
型号 BSM150GAL120DN2 CM100E3U-24H
描述 IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)POWEREX CM100E3U-24H IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100A, 1.2kV, 650W, 1.2kV, Module
数据手册 --
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Powerex
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Chassis
引脚数 - 5
封装 - Module
极性 - N-Channel
耗散功率 - 650 W
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V
输入电容(Cies) - 15nF @10V
额定功率(Max) - 650 W
工作温度(Max) - 150 ℃
封装 - Module
产品生命周期 Obsolete Not Recommended
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free