MSAD100-12和MURTA200120R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSAD100-12 MURTA200120R DD104N12K

描述 Diode 1.2kV 100A 3Pin Case D1整流器 1200V 200A Si Super Fast RecoveryDiode 1.2kV 104A 3Pin PB20

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) GeneSiC Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Screw Chassis Screw

引脚数 3 - 3

封装 D1 - BG-PB20-1

正向电压 1.35V @300A 2.6V @100A 1.4 V

正向电压(Max) 1.35V @300A - -

正向电流(Max) 100 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -

输出电流 - - 160 A

封装 D1 - BG-PB20-1

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃

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