对比图
型号 STF11NM60N STF12NM50ND STF19NM50N
描述 N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN沟道500V ， 0.29欧姆， 11A ， FDmesh II功率MOSFET （具有快速二极管）的D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FPSTMICROELECTRONICS STF19NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 450 mΩ - 0.2 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 25 W 25000 mW 30 W
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 500 V
上升时间 18.5 ns 15 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds) 1000pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 25 W 25 W 30 W
下降时间 12 ns 17 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 10.0 A - -
输入电容 850 pF - -
栅电荷 31.0 nC - -
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - -
宽度 4.6 mm - -
高度 9.3 mm - -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99