BUV48A和JANTXV2N6032

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUV48A JANTXV2N6032 BUL810

描述 STMICROELECTRONICS  BUV48A  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 125 W, 15 A, 8 hFENPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  BUL810  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 125 W, 15 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-3 TO-247-3

额定电压(DC) 450 V - 450 V

额定电流 15.0 A - 15.0 A

额定功率 150 W - 125 W

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 125 W - 125 W

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 90 V 450 V

集电极最大允许电流 - 50A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 8 @8A, 5V - 10 @5A, 5V

额定功率(Max) 125 W - 125 W

直流电流增益(hFE) 8 - 10

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - 65 ℃

耗散功率(Max) 125 W - 125000 mW

长度 15.75 mm - 15.75 mm

宽度 5.15 mm - 5.15 mm

高度 20.15 mm - 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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