LMV854MTX和LMV854MTX/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV854MTX LMV854MTX/NOPB LMV854MT

描述 8 MHz的低功耗CMOS , EMI硬化运算放大器 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers四路 8 MHz 低功耗 CMOS,EMI 硬化运算放大器 14-TSSOP -40 to 1258 MHz的低功耗CMOS , EMI硬化运算放大器 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器) National Semiconductor (美国国家半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

封装 TSSOP TSSOP-14 TSSOP

引脚数 14 14 -

安装方式 - Surface Mount -

封装 TSSOP TSSOP-14 TSSOP

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

输出电流 62.0 mA 30mA @3.3V -

通道数 4 4 -

供电电流 - 1.59 mA -

电路数 - 4 -

共模抑制比 - 77 dB -

输入补偿漂移 - 400 nV/K -

转换速率 - 4.50 V/μs -

增益频宽积 - 8 MHz -

输入补偿电压 - 260 µV -

输入偏置电流 - 0.1 pA -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

增益带宽 - 8 MHz -

共模抑制比(Min) - 77 dB -

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -

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