对比图
型号 1T5 IXTN550N055T2
描述 Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-21SOT-227B N-CH 55V 550A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 4
封装 - SOT-227-4
极性 - N-CH
耗散功率 - 940 W
漏源极电压(Vds) - 55 V
连续漏极电流(Ids) - 550A
上升时间 - 40 ns
输入电容(Ciss) - 40000pF @25V(Vds)
下降时间 - 230 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 940W (Tc)
封装 - SOT-227-4
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free