FQB34N20L和IRFS23N20DPBF

对比图

型号 FQB34N20L IRFS23N20DPBF IRFS31N20D

描述 LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFETINFINEON  IRFS23N20DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 VD2PAK N-CH 200V 31A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263

额定功率 - 170 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.1 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 - 3.8 W -

阈值电压 - 5.5 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 31A 24A 31.0 A

上升时间 - 32 ns 38 ns

输入电容(Ciss) - 1960pF @25V(Vds) -

下降时间 - 16 ns 10 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 31.0 A

产品系列 - - IRFS31N20D

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Rail, Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -