BLF7G20LS-200,112和BLF7G20LS-200,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF7G20LS-200,112 BLF7G20LS-200,118

描述 RF Power Transistor, 1.805 to 1.88GHz, 200W, 18dB, 28V, LDMOS, SOT-502BRF Power Transistor, 1.805 to 1.88GHz, 200W, 18dB, 28V, LDMOS, SOT-502B

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 SOT-502 SOT-502

频率 1.81GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz ~ 1.88GHz

输出功率 55 W 55 W

增益 18 dB 18 dB

测试电流 1.62 A 1.62 A

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V

电源电压 28 V 28 V

封装 SOT-502 SOT-502

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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