IRF7456TRPBF和SI4866DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7456TRPBF SI4866DY-T1-E3 IRF7456PBF

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.0047Ω; ID 16A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; -55SOIC-8 N-CH 12V 17A 5.5mΩN沟道 20V 16A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 16.0 A - 16.0 A

漏源极电阻 0.02 Ω 5.50 mΩ 6.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 1.6 W 2.5 W

产品系列 IRF7456 - IRF7456

输入电容 3640pF @15V - -

漏源极电压(Vds) 20 V 12 V 20 V

漏源击穿电压 20 V 12.0 V 20.0 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 17.0 A 16.0 A

上升时间 25.0 ns 32 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 3640pF @15V(Vds) - 3640pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1.6 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

阈值电压 - - 2 V

下降时间 - 35 ns 52 ns

耗散功率(Max) - 3000 mW 2500 mW

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

长度 5 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

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