对比图
型号 STD3NK80Z-1 STD3NK80ZT4 FQD2N80TM
描述 STMICROELECTRONICS STD3NK80Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STD3NK80ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 4.9 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 800 V 800 V
额定电流 - 2.50 A 1.80 A
额定功率 - 70 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 3.8 Ω 3.8 Ω 4.9 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 70 W 2.5 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 5 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 - 800 V 800 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.25 A 1.25 A 1.80 mA
上升时间 27 ns 27 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 485pF @25V(Vds) 485pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 70 W 2.5 W
下降时间 40 ns 40 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 2.5 W
输入电容 - - 425 pF
栅电荷 - - 12.0 nC
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 2.4 mm 6.2 mm 6.1 mm
高度 6.2 mm 2.4 mm 2.3 mm
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99