对比图
型号 IXTA08N120P IXTP08N120P
描述 MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263TO-220 N-CH 1200V 0.8A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-220-3
引脚数 3 -
极性 - N-CH
耗散功率 50W (Tc) 50W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V
连续漏极电流(Ids) - 0.8A
输入电容(Ciss) 333pF @25V(Vds) 333pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)
上升时间 26 ns -
下降时间 24 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free