对比图
型号 TL5580IDG4 TL5580IDR BA8522RF-E2
描述 精密放大器 Dual Low-Noise Wide Bndwdth Precsion Amp双路低噪声宽带宽精密放大器 DUAL LOW-NOISE WIDE-BANDWIDTH PRECISION AMPLIFIEROP Amp Dual GP 16V/32V 8Pin SOP T/R
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP-8
供电电流 6 mA 6 mA 5.5 mA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 -
共模抑制比 - 90 dB 70 dB
输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K -
带宽 12.0 MHz 12.0 MHz -
转换速率 5.00 V/μs 5.00 V/μs -
增益频宽积 12 MHz 12 MHz 6 MHz
输入补偿电压 300 µV 300 µV 100 µV
输入偏置电流 100 nA 100 nA 50 nA
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 105 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 - 12 MHz 6 MHz
共模抑制比(Min) - 90 dB 70 dB
输出电流 - - ≤50 mA
耗散功率 - - 0.78 W
长度 4.9 mm 4.9 mm -
宽度 3.91 mm 3.91 mm -
高度 1.58 mm 1.58 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free