2N7002和BST120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002 BST120 U1898

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/RBST120 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-89 marking/标记 LM 高速开关 无二次击穿N沟道开关 N-Channel Switch

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 分立器件JFET晶体管

基础参数对比

封装 - SOT-89 TO-226-3

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - - 3

极性 - P-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) - 60 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) - 0.3A 50.0 mA

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 30.0 mA

击穿电压 - - -40.0 V

漏源极电阻 - - 50 Ω

耗散功率 - - 625 mW

击穿电压 - - 40 V

输入电容(Ciss) - - 16pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - - 625 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

封装 - SOT-89 TO-226-3

高度 - - 5.33 mm

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Bulk - Bulk

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 85412100959 - -

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