对比图
型号 SST39SF020A-70-4C-WHE SST39SF020A-70-4C-WHE-T SST39SF020A-70-4I-WHE
描述 SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，MicrochipFlash Parallel 5V 2Mbit 256K x 8Bit 70ns 32Pin TSOP T/RSST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 Flash芯片存储芯片Flash芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 32 32 32
封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP-32
位数 8 8 8
存取时间 70 ns 70 ns 70 ns
存取时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
供电电流 25 mA - 25 mA
针脚数 32 - 32
电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V
电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V
电源电压(DC) - - 4.50V (min)
工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V
内存容量 - - 250000 B
封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP-32
长度 12.5 mm - 12.5 mm
宽度 8.1 mm - 8.1 mm
高度 1.05 mm - 1.05 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 3A991.b.1.a - -