CAT28F010LA12和P28F010-120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CAT28F010LA12 P28F010-120 CAT28F010LI12

描述 1兆位的CMOS闪存 1 Megabit CMOS Flash MemoryFlash Parallel 5V 1Mbit 128K x 8Bit 120ns 32Pin PDIP1兆位的CMOS闪存 1 Megabit CMOS Flash Memory

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Intel (英特尔) ON Semiconductor (安森美)

分类 存储芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 PDIP PDIP PDIP-32

引脚数 - - 32

电源电压 - 5 V 4.5V ~ 5.5V

存取时间 120 ns - 120 ns

内存容量 1000000 B - 125000 B

位数 - - 8

存取时间(Max) - - 120 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 PDIP PDIP PDIP-32

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - - Rail

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台