BZD27C9V1P-HE3-08和BZD27C9V1P-M-18

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C9V1P-HE3-08 BZD27C9V1P-M-18 BZD27C9V1P-GS18

描述 Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2PinDiode Zener Single 9.1V 6% 800mW Automotive 2Pin DO-219AB T/R齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

正向电压 - 1.2V @200mA -

稳压值 - 9.1 V 9.05 V

额定功率(Max) - 800 mW -

耗散功率 - - 800 mW

测试电流 - - 50 mA

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.9 mm

高度 - - 0.98 mm

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

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