对比图
型号 HGTG40N60A4 STGY40NC60VD IXGH60N60
描述 HGTG40N60A4系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 40.0 A 50.0 A 75.0 A
耗散功率 625 W 260 W 300000 mW
上升时间 18.0 ns 19.0 ns 25.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 625 W 260 W 300 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625000 mW 260000 mW 300000 mW
额定功率 - - 300 W
极性 - N-Channel -
输入电容 - 4550 pF -
漏源极电压(Vds) - 600 V -
连续漏极电流(Ids) - 50.0 A -
热阻 - 50 ℃/W -
反向恢复时间 - 44 ns -
长度 15.87 mm 15.9 mm -
宽度 4.82 mm 5.3 mm -
高度 20.82 mm 20.3 mm 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -