SN65LVDS17DRFR和SN65LVDS17DRFRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN65LVDS17DRFR SN65LVDS17DRFRG4 SN65LVDS17DRFT

描述 2.5 V / 3.3 V振荡器增益级/缓冲区 2.5-V/3.3-V OSCILLATOR GAIN STAGE/BUFFERS2.5 V / 3.3 V振荡器增益级/缓冲区 2.5-V/3.3-V OSCILLATOR GAIN STAGE/BUFFERS2.5 V / 3.3 V振荡器增益级/缓冲区 2.5-V/3.3-V OSCILLATOR GAIN STAGE/BUFFERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 接口芯片接口芯片接口芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 WSON-8 SON-8 WSON-8

电源电压(DC) 2.50 V, 3.30 V 2.50 V, 3.30 V 2.50 V, 3.30 V

供电电流 40 mA - 40 mA

通道数 1 - 1

耗散功率 834 mW - 132 mW

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 834 mW - 834 mW

电源电压 2.375V ~ 3.6V - 2.375V ~ 3.6V

长度 2 mm - 2 mm

宽度 2 mm - 2 mm

高度 0.53 mm - 0.53 mm

封装 WSON-8 SON-8 WSON-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台