ICTE12-E3/73和1N6376-E3/73

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE12-E3/73 1N6376-E3/73 ICTE12-E3/51

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 12V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE AmmoDiode TVS Single Uni-Dir 12V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE AmmoESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 12V Unidirect

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

引脚数 - - 2

工作电压 12 V 12 V 12 V

击穿电压 14.1 V 14.1 V 14.1 V

钳位电压 16.5 V 16.5 V 16.5 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1.5 kW

最小反向击穿电压 14.1 V 14.1 V 14.1 V

最大反向击穿电压 - - 14.1 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

长度 - - 9.5 mm

高度 - - 5.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Ammo Pack Ammo Pack Each

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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