IS43LR32400F-6BLI和IS43LR32400G-6BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR32400F-6BLI IS43LR32400G-6BLI

描述 动态随机存取存储器 128M (4Mx32) 166MHz Mobile DDR 1.8v动态随机存取存储器 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

引脚数 - 90

存取时间 6 ns 5.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 - 100 mA

位数 - 32

存取时间(Max) - 6 ns

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

高度 - 0.8 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅

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