E-L6569D和IR4426SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 E-L6569D IR4426SPBF NCP3420DR2G

描述 MOSFET DRVR 600V 0.275A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SO NINFINEON  IR4426SPBF  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 6V-20V电源, 3.3A输出, 65ns延迟, SOIC-8ON SEMICONDUCTOR  NCP3420DR2G  MOSFET Driver, 4.6V-13.2V supply, SOIC-8 新

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 16.6V (max) 6.00V (min) 4.60V (min)

输出接口数 2 2 2

输出电压 618 V 6.20 V -

输出电流 275 mA 1.5 A -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 10V ~ 16.6V 6V ~ 20V 4.6V ~ 13.2V

电源电压(Max) 16.6 V 20 V 13.2 V

电源电压(Min) 10 V 6 V 4.6 V

上升/下降时间 - 15ns, 10ns 16ns, 11ns

通道数 - 2 -

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 625 mW -

上升时间 - 35 ns 16 ns

输入偏置电流 - 15 µA -

下降时间 - 25 ns 11 ns

下降时间(Max) - 25 ns 11 ns

上升时间(Max) - 35 ns 16 ns

耗散功率(Max) - 625 mW -

无卤素状态 - - Halogen Free

长度 5 mm 4.98 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.99 mm 4 mm

高度 1.25 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台