对比图
型号 IXTH12N150 IXTT12N150 IXTT12N140
描述 N沟道 1.5kV 12ATO-268AA N-CH 1500V 12ATO-268AA N-CH 1400V 12A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-3
引脚数 3 3 -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 890 W 890 W 890W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1500 V 1500 V 1400 V
连续漏极电流(Ids) 12A 12A 12A
输入电容(Ciss) 3720pF @25V(Vds) 3720pF @25V(Vds) 3720pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 890W (Tc) 890W (Tc) 890W (Tc)
上升时间 16 ns 16 ns -
额定功率(Max) - 890 W -
下降时间 14 ns 14 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-3
长度 - 14 mm -
宽度 - 16.05 mm -
高度 - 5.1 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -