2SK2959-E和FQPF11N40T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK2959-E FQPF11N40T 2SK2959

描述 硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingTrans MOSFET N-CH 400V 6.6A 3Pin(3+Tab) TO-220F RailSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Fairchild (飞兆/仙童) HITACHI (日立)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 30 V 400 V -

连续漏极电流(Ids) 50A 6.6A -

耗散功率 - 50W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 1400pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 50 W -

耗散功率(Max) - 50W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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