IXTA48P05T和IXTP48P05T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA48P05T IXTP48P05T IXTY48P05T

描述 TO-263AA P-CH 50V 48ATO-220AB P-CH 50V 48AP沟道 50V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 30 mΩ 30 mΩ

极性 P-CH P-CH P-CH

耗散功率 150W (Tc) 150W (Tc) 150 W

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 - 50 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 48A 48A 48A

输入电容(Ciss) 3660pF @25V(Vds) 3660pF @25V(Vds) 3660pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 13 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司