IS42RM32800D-75BLI和IS42RM32800K-75BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42RM32800D-75BLI IS42RM32800K-75BLI

描述 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, ITDRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

引脚数 - 90

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 3V

位数 - 32

存取时间 - 6 ns

存取时间(Max) - 6ns, 8ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台