IRFBC40LC和STP7NB60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBC40LC STP7NB60 IRFBC40LCPBF

描述 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220ABN沟道600V - 1.0ヘ - 7.2A TO- 220 / TO- 220FP PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V - 1.0 ヘ - 7.2A TO-220/TO-220FP PowerMESH⑩ MOSFETMOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 7.20 A -

极性 - N-CH -

耗散功率 125W (Tc) 125 W 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 7.20 A -

上升时间 - 8 ns -

输入电容(Ciss) 1100pF @25V(Vds) 1625pF @25V(Vds) 1100pF @25V(Vds)

下降时间 - 5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

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