BCR158L3和PDTA123JM,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR158L3 PDTA123JM,315 PDTA123JM

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7PNP电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧,R2 = 47千欧 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TSLP SOT-883-3 DFN

耗散功率 - 0.25 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

极性 PNP - PNP

集电极最大允许电流 100mA - 100mA

长度 - 1.02 mm -

宽度 - 0.62 mm -

高度 - 0.47 mm -

封装 TSLP SOT-883-3 DFN

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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