BD1356S和BD1356STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD1356S BD1356STU BD135

描述 Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkNPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorNPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -

额定电流 1.50 A 1.50 A -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

耗散功率 - 1.25 W 1.25 W

最大电流放大倍数(hFE) - 250 250

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1.25 W 1250 mW

频率 - - 50 MHz

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 250

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 - 8 mm 7.8 mm

宽度 - 3.25 mm 2.7 mm

高度 - 1.5 mm 10.8 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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