1N6471和JANTXV1N6471

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6471 JANTXV1N6471 JAN1N6471

描述 高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.12V 1500W12V 1500W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 G G DO-35

引脚数 2 - 2

最大反向电压(Vrrm) - 12V 12V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 13.6 V 13.6 V 13.6 V

钳位电压 22.6 V - 22.6 V

测试电流 10 mA - 10 mA

击穿电压 - - 13.6 V

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 G G DO-35

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

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