FQT4N20和IRFM220B

对比图

型号 FQT4N20 IRFM220B IRFL210TR

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETPower Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology

分类

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-223 SOT-223 -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 0.85A 1.13A -

封装 SOT-223 SOT-223 -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -