PIC18F2221-I/ML和PIC18F2221-I/SS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F2221-I/ML PIC18F2221-I/SS PIC18F2221-I/SO

描述 PIC18 系列 512 B RAM 4 kB 闪存 8位 增强型 微控制器 - QFN-28MICROCHIP  PIC18F2221-I/SS  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F2xxx, 40 MHz, 4 KB, 512 Byte, 28 引脚, SSOPMICROCHIP  PIC18F2221-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F2xxx, 40 MHz, 4 KB, 512 Byte, 28 引脚, SOIC

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器8位微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 QFN-28 SSOP-28 SOIC-28

频率 40 MHz 40 MHz 40 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 4.2V ~ 5.5V - 4.2V ~ 5.5V

针脚数 - 28 28

时钟频率 40.0 MHz 40.0 MHz 32.0 MHz, 40.0 MHz

RAM大小 512 B 512 B 512 B

位数 8 8 8

FLASH内存容量 4 KB 4 KB 4096 B

I/O引脚数 25 25 25

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 - 25 Input 25 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.2 V 4.2 V 4.2 V

耗散功率 1000 mW 1000 mW -

内存容量 - 4000 B -

长度 6 mm 10.5 mm 17.9 mm

宽度 6 mm 5.6 mm 7.49 mm

高度 0.88 mm 1.85 mm 2.31 mm

封装 QFN-28 SSOP-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - 3A991 3A991.a.2

HTS代码 - 8542310001 8542310001

香港进出口证 - NLR -

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