LM358DG和LM358DR2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM358DG LM358DR2 LM358DR2G

描述 ON SEMICONDUCTOR  LM358DG  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚双差分输入运算放大器 DUAL DIFFERENTIAL INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSON SEMICONDUCTOR  LM358DR2G.  运算放大器

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 3V ~ 32V - 3V ~ 32V

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

输出电流 60 mA - 40 mA

供电电流 1.5 mA 1.5 mA 1.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 70 dB - 70 dB

带宽 1 MHz - 1 MHz

转换速率 600 mV/μs 600 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 2 mV 2 mV 2 mV

输入偏置电流 45 nA 45 nA 45 nA

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

增益带宽 1 MHz - 1 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB

电源电压 3V ~ 32V - 3V ~ 32V

电源电压(Max) - - 32 V

电源电压(Min) - - 3 V

输入电压 0V ~ 28.3V - 0V ~ 28.3V

电源电压(DC) 5.00 V - -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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