LM219D和LMC6772BIM/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM219D LMC6772BIM/NOPB LM219DT

描述 STMICROELECTRONICS  LM219D  模拟比较器, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚双路微功耗轨至轨输入CMOS比较器具有开漏输出 Dual Micropower Rail-To-Rail Input CMOS Comparator with Open Drain OutputSTMICROELECTRONICS  LM219DT  模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 比较器比较器比较器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 8 14

封装 SOIC-14 SOIC-8 SOIC-14

电源电压(DC) 5.00V (min) - 5.00V (min)

输出电流 200 nA 30 mA 200 nA

供电电流 4.3 mA 0.02 mA 4.3 mA

电路数 2 - 2

通道数 2 2 2

针脚数 14 8 14

耗散功率 830 mW - 830 mW

静态电流 8.00 mA 12.0 µA 8.00 mA

输入补偿电压 4 mV 15 mV 4 mV

输入偏置电流 500 nA 0.04 nA 500 nA

工作温度(Max) 105 ℃ 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 830 mW - 830 mW

电源电压 5V ~ 15V 2.7V ~ 15V 5V ~ 15V

电源电压(Max) 15 V 15 V 15 V

电源电压(Min) 5 V 2.7 V 5 V

热阻 - - 105 ℃/W

共模抑制比 - 75 dB -

封装 SOIC-14 SOIC-8 SOIC-14

长度 - 4.9 mm 8.75 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.45 mm 1.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99

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