SI4288DY-T1-GE3和SI4910DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4288DY-T1-GE3 SI4910DY-T1-GE3 SI4942DY-T1-GE3

描述 Dual N-Channel 40V 20mOhm 2W Surface Mount TrenchFET Mosfet - SOIC-8Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8Pin SOIC N T/RMOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 2 - -

漏源极电阻 0.0165 Ω 0.022 Ω -

极性 Dual N-Channel - Dual N-Channel

耗散功率 3.1 W 2 W -

阈值电压 1.2 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 580pF @20V(Vds) 855pF @20V(Vds) -

额定功率(Max) 3.1 W 3.1 W 1.1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

连续漏极电流(Ids) - - 5.30 A

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 2014/06/16 -

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