JANS2N3501和JANS2N3501L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N3501 JANS2N3501L 2N3501

描述 NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-5 TO-39

极性 NPN NPN -

耗散功率 1 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V -

集电极最大允许电流 0.3A 0.3A -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V - -

额定功率(Max) 1 W - -

封装 TO-39 TO-5 TO-39

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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