对比图
型号 SGP02N60XKSA1 SGP06N60XKSA1 IGP06N60TXKSA1
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 68000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 30000 mW 68000 mW 88000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 30 W 68 W 88 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 30000 mW 68000 mW 88000 mW
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
高度 - 9.25 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99