M25P40-VMN3TP/X和M25P40-VMN6P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M25P40-VMN3TP/X M25P40-VMN6P M25P40-VMN3TP

描述 4兆位,低电压,串行闪存,具有50 MHz SPI总线接口 4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface4兆位,低电压,串行闪存的40MHz SPI总线接口 4 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus InterfaceNOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 8ns Automotive 8Pin SOIC N T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

封装 SOP SOIC-8 SOP

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 8 -

封装 SOP SOIC-8 SOP

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

内存容量 - 4000000 B 500000 B

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

工作电压 - 2.3V ~ 3.6V -

时钟频率 - 40.0 MHz, 40.0 MHz (max) -

位数 - 8 -

存取时间 - 40.0 µs -

存取时间(Max) - 8 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

工作温度 - 40℃ ~ 85℃ -

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