BUK7608-40B和BUK7608-40B,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7608-40B BUK7608-40B,118

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETD2PAK N-CH 40V 101A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 101A 101A

耗散功率 - 157 W

上升时间 - 51 ns

输入电容(Ciss) - 2689pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 157 W

下降时间 - 33 ns

耗散功率(Max) - 157W (Tc)

封装 D2PAK TO-263-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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