对比图
型号 FP10R06W1E3 FP20R06W1E3 FP20R06W1E3_B11
描述 INFINEON FP10R06W1E3 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 10 A, 1.55 V, 68 W, 600 V, ModuleEasyPIM模块海沟/ Fieldstopp IGBT3和发射极控制二极管3和NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCIGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 23 23 22
封装 EASY1B EASY1B-1 AG-EASY1B-2
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 68 W 94 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -
输入电容(Cies) - 1.1nF @25V -
额定功率(Max) - 94 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
额定功率 68 W - 94 W
针脚数 23 - -
耗散功率(Max) - - 94 W
长度 62.8 mm 62.8 mm 48 mm
宽度 33.8 mm 33.8 mm 33.8 mm
高度 12 mm 12 mm 12 mm
封装 EASY1B EASY1B-1 AG-EASY1B-2
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -