BZD27C39P-E3-08和BZD27C39P-E3-18

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C39P-E3-08 BZD27C39P-E3-18

描述 VISHAY BZD27C39P-E3-08 Zener Single Diode, 39V, 800mW, DO-219AB, 5%, 2Pins, 150℃800mW,BZD27C 系列,Vishay Semiconductor

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 DO-219AB DO-219AB

击穿电压 39.0 V 39.0 V

正向电压 1.2V @200mA 1.2V @200mA

耗散功率 800 mW 800 mW

测试电流 - 10 mA

稳压值 39 V 39 V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 0.8 W

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.9 mm

高度 - 1.08 mm

封装 DO-219AB DO-219AB

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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