MJD32C和BSP19,115

对比图

型号 MJD32C BSP19,115 2N4407

描述 Power Bipolar Transistor,NXP  BSP19,115  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 70 MHz, 1.2 W, 100 mA, 40 hFEPower Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin

数据手册 ---

制造商 Taitron NXP (恩智浦) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 - TO-261-4 -

频率 - 70 MHz -

针脚数 - 4 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 1.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 350 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @20mA, 10V -

额定功率(Max) - 1.2 W -

直流电流增益(hFE) - 40 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1200 mW -

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

封装 - TO-261-4 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -