IR3598MTR1PBF和IR3598MTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR3598MTR1PBF IR3598MTRPBF

描述 IC MOSFET DRVR N-CH DUAL 16QFNP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 16

封装 QFN-16 QFN-16

上升/下降时间 15ns, 12ns 15ns, 12ns

输出接口数 - 1

针脚数 - 16

上升时间 - 15 ns

下降时间 - 12 ns

下降时间(Max) - 17 ns

上升时间(Max) - 15 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 13 V

电源电压(Min) - 4 V

封装 QFN-16 QFN-16

工作温度 0℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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