2N5338和JANS2N5152

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5338 JANS2N5152 JAN2N5152

描述 100V, 5A high voltage NPN transistoroTrans GP BJT NPN 80V 2A 3Pin TO-39NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Solid State Devices Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-39 TO-205

击穿电压(集电极-发射极) - - 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 30 @2.5A, 5V

额定功率(Max) - - 1 W

封装 - TO-39 TO-205

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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