71V67603S133BQGI和71V67603S133BQI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V67603S133BQGI 71V67603S133BQI 71V67603S133BQI8

描述 静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L3.3V 256K x 36 Synchronous 3.3V I/O PipeLined SRAM3.3V 256K x 36 Synchronous 3.3V I/O PipeLined SRAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 CABGA-165 TBGA-165 TBGA-165

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

存取时间 4.2 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

长度 15 mm 15.0 mm 15.0 mm

宽度 13 mm 13.0 mm 13.0 mm

封装 CABGA-165 TBGA-165 TBGA-165

厚度 1.20 mm 1.20 mm 1.20 mm

高度 1.2 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

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